華為哈勃投資天域半導體:發力第三代半導體材料碳化硅
2021-07-05 16:04:44  出處:快科技 作者:萬南 編輯:萬南     評論(0)點擊可以複製本篇文章的標題和鏈接

除了投資“芯片之母”EDA企業,企查查工商資料顯示,華為旗下哈勃科技日前入股東莞市天域半導體科技有限公司,後者註冊資本也從9027萬元增加到9770萬元,增幅8%

據悉,東莞市天域半導體成立於2009年,位於松山湖高新技術產業園區,是我國首家專業從事第三代半導體碳化硅外延片研發、生產和銷售的高新技術企業。

2010年公司與中科院半導體所合作成立“碳化硅技術研究院”,目前已引進三台世界一流的SiC-CVD及配套檢測設備,生產技術達到國際先進水平。

至於深圳哈勃科技,華為技術有限公司則出自69%、華為終端出資30%、哈勃科技出資1%,今年4月剛剛成立。

所謂第三代半導體,主要是二十一世紀以來以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石四種為代表的半導體材料,即高温半導體材料。第一代半導體材料主要是硅(Si)、鍺元素(Ge),第二代主要是化合物半導體材料。

華為哈勃投資天域半導體:發力第三代半導體材料碳化硅

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